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蓝宝石的制作  

蓝宝石衬底制 作工艺流程简要说明

长晶: 利用长晶炉生 长尺寸大且高品质的单晶蓝宝石晶体

定向: 确保蓝宝石晶 体在掏棒机台上的正确位置, 便于掏棒加工

掏棒: 以特定方式从 蓝宝石晶体中掏取出蓝宝石晶棒

滚磨: 用外圆磨床进 行晶棒的外圆磨削, 得到精确的外 圆尺寸精度

品检: 确保晶棒品质 以及以及掏取后的晶棒尺寸与方位是否合客户规格

定向:在切片机上准 确定位蓝宝石晶棒的位置, 以便于精准切 片加工

切片:将蓝宝石晶棒 切成薄薄的芯片

研磨:去除切片时造 成的芯片切割损伤层及改善芯片的平坦度

倒角:将芯片边缘修 整成圆弧状, 改善薄片边缘 的机械强度, 避免应力集中 造成缺陷

抛光:改善芯片粗糙 度, 使其表面达到 外延片磊晶级的精度

清洗:清除芯片表面 的污染物(如:微尘颗粒, 金属, 有机玷污物等 )

品检:以高精密检测 仪器检验芯片品质(平坦度, 表面微尘颗粒 等), 以合乎客户要 求

柱状与孔状图 形衬底对MOVPE 生长GaN 体材料及LED 器件的影响 江洋 罗毅 汪莱 李洪涛 席光义 赵维 韩彦军

【摘要】:在 柱状图形蓝宝石衬底(PSS -p) 和孔状图形蓝 宝石衬底(PSS -h) 上外延了GaN 体材料和LED 结构并进行了 详细对比和分析.X 射线衍射仪 (XRD)和原子力显微 镜(AFM)测试结果表明 , PSS -h 上体材料的晶 体质量和表面形貌都优于PSS -p 上体材料的特 性, 通过断面扫面 电子显微镜(SEM)照片看出PSS -h 上GaN 的侧向生长是 导致这种差异的原因. 另外, 基于PSS -p 和PSS -h 上外延的LED 材料制作而成 的器件结果表明, 其20mA 下光功率水平 相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了 46%和33%.通过变温光荧 光谱(PL)分析发现, 样品的内量子 效率十分接近. 因此, 可以推断PSS -h 上侧向外延中 存留的空气隙则会影响光提取效率的提高.

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